Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Normy GB - Čínské národní normy - strana 6220
Normy GB jsou čínské národní normy, které vydává Čínský standardizační správní úřad (SAC).
Pod obvyklým názvem normy GB se čínské národní normy využívají po celé Číně a uvádějí sjednocené výrobní požadavky na bezpečnost a kvalitu produktů.
Normy GB jsou často upraveny či přímo vytvářeny podle mezinárodních norem ISO, IEC či na jiné mezinárodní úrovni. I když jsou ve velké míře harmonizovány, normy GB se od mezinárodních norem mohou odlišovat.
Přibližně 15% všech norem GB je závazných a lze je rozpoznat pomocí předpony GB, po které následuje kód normy:
GB - Závazné národní normy
GB/T - Dobrovolné národní normy
GB/Z - Národní řídící technický dokument
Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Kč
Řadit dle:
GB/T 14140-2009
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
NEPLATNÁ vydána dne 30.10.2009
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14140.1-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Optical projecting method
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14140.2-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Micrometer method
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14141-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14142-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14143-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
300900m Silicon slices—Measuring of interstitial oxygen content—Infrared absorption method
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14144-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14145-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contrast microscopy
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14146-1993
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Silicon epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe Valtage-capacitance method
NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
GB/T 14146-2009
NEPLATNÁ
Zobrazit všechny technické informace
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
NEPLATNÁ vydána dne 30.10.2009
Vybrané provedení:Zobrazit všechny technické informace
Potřebujete pomoci?
