Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Reverse blocking triode thyristorcase-rated for type 3CT320
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Avalanche triode thyristor case-rated for type 3CT315
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:-
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Barium flash getters
NEPLATNÁ vydána dne 17.6.1998
Vybrané provedení:Generic rules for test method of getter properties
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for firmness of getter by pressure or sinter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for weld strenght of getter support
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for barium yield of barium flash getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for barium content in getter fill and getter film of barium flash getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 17.04.2026 (Počet položek: 2 274 270)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.