Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "GB - Všechny - strana 9001" dle:    


GB/T 9506.4-1988 NEPLATNÁ

Test method for amount of gas evolved from getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
5 928.20


do 2 pracovních dnů
GB/T 9506.5-1988 NEPLATNÁ

Test method for nitrogen-released and gas-absorbed dynamic curve of nitrogen-doped getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 936.00


do 2 pracovních dnů
GB/T 9506.6-1988 NEPLATNÁ

Test method for barium film distribution ofnitrogen-doped getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 936.00


do 2 pracovních dnů
GB/T 9506.7-1988 NEPLATNÁ

Test method for gettering properties ofbarium flash getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
6 920.30


do 3 pracovních dnů
GB/T 9506.8-1988 NEPLATNÁ

Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 936.00


do 2 pracovních dnů
GB/T 9506.9-1988 NEPLATNÁ

Test method for amount of filling getter

NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 936.00


do 2 pracovních dnů
GB 9507-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
12 873.30


do 4 pracovních dnů
GB 9508-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 881.10


do 4 pracovních dnů
GB 9509-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 881.10


do 4 pracovních dnů
GB 9510-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 881.10


do 4 pracovních dnů

Zobrazen záznam od 90000 až 90010 z celkem 90914 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.