Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for amount of gas evolved from getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for nitrogen-released and gas-absorbed dynamic curve of nitrogen-doped getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for barium film distribution ofnitrogen-doped getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for gettering properties ofbarium flash getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for amount of filling getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 16.04.2026 (Počet položek: 2 272 849)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.