Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "GB - Všechny - strana 8999" dle:    


GB 9495-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ322

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 856.30


do 4 pracovních dnů
GB 9496-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ33

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
7 888.70


do 3 pracovních dnů
GB 9497-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ323

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
7 888.70


do 3 pracovních dnů
GB 9498-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ34Q

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
7 888.70


do 3 pracovních dnů
GB 9499-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component silicon switching diode for type 2CK120

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
8 877.90


do 3 pracovních dnů
NA DOTAZ


Není skladem
GB/T 95-1985 NEPLATNÁ

Plain washers--Product grade C

NEPLATNÁ vydána dne 1.8.1985

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 921.20


do 2 pracovních dnů
GBJ 95-1986 NEPLATNÁ

(Hydrometric standard terms and symbols)

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1986

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
NA DOTAZ


Není skladem
GB 9500-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG107

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 845.50


do 4 pracovních dnů
GB 9501-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS122

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 845.50


do 4 pracovních dnů

Zobrazen záznam od 89980 až 89990 z celkem 90914 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.