Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Normy GB jsou čínské národní normy, které vydává Čínský standardizační správní úřad (SAC).
Pod obvyklým názvem normy GB se čínské národní normy využívají po celé Číně a uvádějí sjednocené výrobní požadavky na bezpečnost a kvalitu produktů.
Normy GB jsou často upraveny či přímo vytvářeny podle mezinárodních norem ISO, IEC či na jiné mezinárodní úrovni. I když jsou ve velké míře harmonizovány, normy GB se od mezinárodních norem mohou odlišovat.
Přibližně 15% všech norem GB je závazných a lze je rozpoznat pomocí předpony GB, po které následuje kód normy:
GB - Závazné národní normy
GB/T - Dobrovolné národní normy
GB/Z - Národní řídící technický dokument
Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD205A
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG 2636
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG3077
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD204
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD207
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD207
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 25.01.2026 (Počet položek: 2 257 482)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.