Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Normy GB jsou čínské národní normy, které vydává Čínský standardizační správní úřad (SAC).
Pod obvyklým názvem normy GB se čínské národní normy využívají po celé Číně a uvádějí sjednocené výrobní požadavky na bezpečnost a kvalitu produktů.
Normy GB jsou často upraveny či přímo vytvářeny podle mezinárodních norem ISO, IEC či na jiné mezinárodní úrovni. I když jsou ve velké míře harmonizovány, normy GB se od mezinárodních norem mohou odlišovat.
Přibližně 15% všech norem GB je závazných a lze je rozpoznat pomocí předpony GB, po které následuje kód normy:
GB - Závazné národní normy
GB/T - Dobrovolné národní normy
GB/Z - Národní řídící technický dokument
Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for amount of filling getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3CD546 silicon PNP for low frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD 203
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 25.01.2026 (Počet položek: 2 257 482)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.