Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
BSi - Společnost BSI British Standards je národním standardizačním úřadem Spojeného království (NSB) a jako taková byla i první na světě. Zastupuje ekonomické a společenské zájmy Spojeného království ve všech evropských a mezinárodních standardizačních organizacích i v rámci vývoje řešení podnikových informací pro britské organizace všech velikostí a oborů. Společnost BSI British Standards spolupracuje s výrobním průmyslem a průmyslem služeb, s podniky, s vládami i spotřebiteli tak, aby usnadnila tvorbu britských, evropských i mezinárodních norem. Součást organizace BSI Group, společnost BSI British Standards, úzce spolupracuje s vládou Spojeného královtsví, zejména skrze Oddělení pro inovace, univerzity a dovednosti (DIUS).
Semiconductor devices. Discrete devices. Optoelectronic devices. Photocouplers.
(Polovodičové součástky - Diskrétní součástky - Část 5-5: Optoelektronické součástky - Fotoelektrické vazební členy. )
NEPLATNÁ vydána dne 30.6.2015
Vybrané provedení:Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Thyristors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.6.2001
Vybrané provedení:Semiconductor devices. Discrete devices. Thyristors.
NEPLATNÁ vydána dne 30.4.2016
Vybrané provedení:Tracked Changes. Semiconductor devices. Discrete devices. Thyristors.
NEPLATNÁ vydána dne 27.2.2020
Vybrané provedení:Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors for power switching applications.
NEPLATNÁ vydána dne 19.1.2006
Vybrané provedení:Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Bipolar transistors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.6.2001
Vybrané provedení:Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Field-effect transistors. Additional ratings and characteristics and amds in the measuring methods for power switching field effect transistors..
NEPLATNÁ vydána dne 15.6.2001
Vybrané provedení:Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
NEPLATNÁ vydána dne 17.1.2003
Vybrané provedení:Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
NEPLATNÁ vydána dne 30.11.2007
Vybrané provedení:Semiconductor devices. Integrated circuits. Digital integrated circuits. Family specification. Low voltage integrated circuits.
NEPLATNÁ vydána dne 15.4.2001
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 21.01.2026 (Počet položek: 2 257 297)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.