Pozor!

Ve Vašem prohlížeči není aktuálně povoleno spouštění Javascriptu. Je možné, že některé funkce nebudou fungovat správně. Pro plnou funkčnost internetového obchodu doporučujeme povolit Javascript. Zde jsou instrukce jak povolit JavaScript ve Vašem webovém prohlížeči.

Zobrazovaná měna: Kč

Zobrazení ceny: bez DPH

IEC 62047-9-ed.1.0

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS

Automaticky přeložený název:

Polovodičové součástky - Micro-elektromechanické zařízení - Část 9: Wafer do plátků lepení měření síly na MEMS

NORMA vydána dne 13.7.2011

Jazyk
Provedení	Elektronické PDF - 4 801.70 Kč Tištěné - 4 801.70 Kč CD-ROM - 4 841.70 Kč
Dostupnost	SKLADEM
Cena	4 801.70 Kč bez DPH
4 801.70 Kč
	Objednat včetně oprav

Informace o normě:

Označení normy: IEC 62047-9-ed.1.0
Datum vydání normy: 13.7.2011
Kód zboží: NS-414117
Počet stran: 49
Přibližná hmotnost: 147 g (0.32 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC

Tisk

Odeslat známému

Dotaz

Kategorie - podobné normy:

Ostatní polovodičová zařízení

Anotace textu normy IEC 62047-9-ed.1.0 :

IEC 62047-9:2011 describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 ohmm to several millimeters. The contents of the corrigendum of March 2012 have been included in this copy. La CEI 62047-9:2011 decrit une methode de mesure de la resistance de collage de deux plaquettes, le type de processus de liaison, par exemple le collage par fusion de deux plaquettes de silicium, le collage anodique dune plaquette de silicium et dune plaquette de verre, etc., et la taille de la structure applicable pendant le traitement ou lassemblage de systemes microelectromecaniques (MEMS). Lepaisseur de plaquette applicable est dans la gamme comprise entre 10 ohmm et plusieurs millimetres. Le contenu du corrigendum de mars 2012 a ete pris en consideration dans cet exemplaire.

K této normě náleží tyto opravy:

Náhled IEC 62047-9-ed.1.0/Cor.1 8.3.2012

IEC 62047-9-ed.1.0/Cor.1 Oprava

Corrigendum 1 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
(Corrigendum 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs microelectromecaniques - Partie 9: Mesure de la resistance de collage de deux plaquettes pour les MEMS)

Oprava vydána dne 8.3.2012

Vybrané provedení:

Anglicky a francouzsky -

Elektronické PDF (32.00 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

32.00 Kč

SKLADEM