Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
ČSN EN IEC 63373 (358766)
Návody na zkušební metody dynamického odporu v sepnutém stavu pro součástky výkonových měničů založených na GaN HEMT. (Norma přebírající anglický originál, vlastní text je součástí výtisku).
Přeložit název
NORMA vydána dne 1.10.2022
Informace o normě:
Označení normy: ČSN EN IEC 63373
Třídící znak: 358766
Katalogové číslo: 514958
Datum vydání normy: 1.10.2022
Kód zboží: NS-1085186
Počet stran: 24
Přibližná hmotnost: 72 g (0.16 liber)
Země: Česká technická norma
Kategorie: Technické normy ČSN
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy ČSN EN IEC 63373 (358766):
Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy:
- a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3];
- b) GaN v integrovaných výkonových řešeních;
- c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra.
Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků
Náhled normy ČSN EN IEC 63373 (358766)
Doporučujeme:
