ASTM F996-11

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automaticky přeložený název:

Standardní zkušební metoda pro separaci ionizujícího záření vyvolané MOSFET Threshold Voltage Shift na složky kvůli oxidu Trapped děr a rozhraní státy za použití podprahovou proud, napětí dovolené



NORMA vydána dne 1.1.2011


Jazyk
Provedení
DostupnostSKLADEM
Cena2010.10 bez DPH
2 010.10

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F996-11
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.2011
Kód zboží: NS-57210
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Kategorie - podobné normy:

Tranzistory

Anotace textu normy ASTM F996-11 :

Keywords:

c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes, Current measurement--semiconductors, Electrical conductors (semiconductors), Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure--electronic components/devices, Silicon semiconductors, Threshold voltage, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)

Doporučujeme:




Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.