Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals
NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988
Vybrané provedení:Test method for thedetermination of the dielectric properties of solid dielectric materials atmicrowave frequencies--The method of coaxial terminal short circuit
NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988
Vybrané provedení:-
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules-design qualification and type approval
NEPLATNÁ vydána dne 17.11.1998
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Electromechanical switches for use in electronic equipment—Part 1:Generic specification
NEPLATNÁ vydána dne 22.12.1995
Vybrané provedení:Electromechanical switches for use in electrical and electronic equipment—Part 1:Generic specification
NEPLATNÁ vydána dne 5.11.2012
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 12.10.2026 (Počet položek: 2 304 634)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.