Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2CC22 and 2CC27
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals
NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988
Vybrané provedení:Test method for thedetermination of the dielectric properties of solid dielectric materials atmicrowave frequencies--The method of coaxial terminal short circuit
NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 19.08.2026 (Počet položek: 2 298 207)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.