Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for nitrogen-released and gas-absorbed dynamic curve of nitrogen-doped getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for barium film distribution ofnitrogen-doped getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for gettering properties ofbarium flash getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for amount of filling getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 19.08.2026 (Počet položek: 2 298 207)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.