Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for gettering properties ofbarium flash getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Test method for amount of filling getter
NEPLATNÁ vydána dne 25.6.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3CD546 silicon PNP for low frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 09.08.2026 (Počet položek: 2 292 444)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.