Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specification for electronic component--Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ34Q
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component silicon switching diode for type 2CK120
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:-
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1980
Vybrané provedení:Plain washers--Product grade C
NEPLATNÁ vydána dne 1.8.1985
Vybrané provedení:(Hydrometric standard terms and symbols)
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1986
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG107
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS122
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Reverse blocking triode thyristorcase-rated for type 3CT320
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Avalanche triode thyristor case-rated for type 3CT315
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 10.08.2026 (Počet položek: 2 292 404)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.