Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2CC22 and 2CC27
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals
NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 14.04.2026 (Počet položek: 2 272 146)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.