Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "GB - Všechny - strana 9003" dle:    


GB 9521-1988 NEPLATNÁ

(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 864.40


do 4 pracovních dnů
GB 9522-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
13 846.00


do 4 pracovních dnů
GB 9523-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 873.70


do 4 pracovních dnů
GB 9524-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 864.40


do 4 pracovních dnů
GB 9525-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 864.40


do 4 pracovních dnů
GB 9526-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2CC22 and 2CC27

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
12 855.20


do 4 pracovních dnů
GB 9527-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 864.40


do 4 pracovních dnů
GB 9528-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 873.70


do 4 pracovních dnů
GB 9529-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 873.70


do 4 pracovních dnů
GB/T 9532-1988 NEPLATNÁ

Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals

NEPLATNÁ vydána dne 28.6.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 929.10


do 2 pracovních dnů

Zobrazen záznam od 90020 až 90030 z celkem 90914 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.