Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "GB - Všechny - strana 6001" dle:    


GB/T 1414-2003 NEPLATNÁ

General purpose metric screw threads—The plan for pipe systems

NEPLATNÁ vydána dne 22.5.2003

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 891.30


do 2 pracovních dnů
GB/T 14140.1-1993 NEPLATNÁ

Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Optical projecting method

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 891.30


do 2 pracovních dnů
GB/T 14140.2-1993 NEPLATNÁ

Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Micrometer method

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 891.30


do 2 pracovních dnů
GB/T 14141-1993 NEPLATNÁ

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
5 874.50


do 2 pracovních dnů
GB/T 14142-1993 NEPLATNÁ

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
6 857.70


do 3 pracovních dnů
GB/T 14143-1993 NEPLATNÁ

300900m Silicon slices—Measuring of interstitial oxygen content—Infrared absorption method

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
5 874.50


do 2 pracovních dnů
GB/T 14144-1993 NEPLATNÁ

Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 891.30


do 2 pracovních dnů
GB/T 14145-1993 NEPLATNÁ

Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contrast microscopy

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 891.30


do 2 pracovních dnů
GB/T 14146-1993 NEPLATNÁ

Silicon epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe Valtage-capacitance method

NEPLATNÁ vydána dne 6.2.1993

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
5 874.50


do 2 pracovních dnů
GB/T 14146-2009 NEPLATNÁ

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

NEPLATNÁ vydána dne 30.10.2009

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
8 824.10


do 3 pracovních dnů

Zobrazen záznam od 60000 až 60010 z celkem 89779 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.