Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "GB - Všechny - strana 5589" dle:    


GB/T 10267.6-1988 NEPLATNÁ

Method for analysis of calcium metal--The determination of ironnickelcopper and manganese in calcium metal by atomic absorption spectrophotometry after extractive separation

NEPLATNÁ vydána dne 30.12.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 933.60


do 2 pracovních dnů
GB/T 10268-1988 NEPLATNÁ

Uranium ore concentrate

NEPLATNÁ vydána dne 30.12.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 933.60


do 2 pracovních dnů
GB 10269-1988 NEPLATNÁ

Ammonium uranyl carbonate

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 933.60


do 2 pracovních dnů
GB/T 10270-1988 NEPLATNÁ

Determination of uranium in uranium hexafluoride by gravimetric method

NEPLATNÁ vydána dne 30.12.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
6 917.00


do 3 pracovních dnů
GB 10271-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG162

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 883.70


do 4 pracovních dnů
GB 10272-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG182

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 883.70


do 4 pracovních dnů
GB 10273-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG140

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
11 875.40


do 4 pracovních dnů
GB 10274-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS119

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
10 883.70


do 4 pracovních dnů
GB 10275-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1191

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
8 900.30


do 3 pracovních dnů
GB 10276-1988 NEPLATNÁ

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142

NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
12 867.00


do 4 pracovních dnů

Zobrazen záznam od 55880 až 55890 z celkem 94224 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.