Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG182
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG140
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS119
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1191
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1421
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component N-channel single-gate junction type field-effect transistor of type CS422OA
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Detail specification for electronic component--Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG3130
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1988
Vybrané provedení:Terms, classification, grade of waste heat in industry and calculating method of quantity of waste heat resources
NEPLATNÁ vydána dne 5.1.2000
Vybrané provedení:Portable pneumatic extinguishers-Technical specification
NEPLATNÁ vydána dne 10.11.1999
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 16.06.2026 (Počet položek: 2 283 261)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.