Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
BSi - Společnost BSI British Standards je národním standardizačním úřadem Spojeného království (NSB) a jako taková byla i první na světě. Zastupuje ekonomické a společenské zájmy Spojeného království ve všech evropských a mezinárodních standardizačních organizacích i v rámci vývoje řešení podnikových informací pro britské organizace všech velikostí a oborů. Společnost BSI British Standards spolupracuje s výrobním průmyslem a průmyslem služeb, s podniky, s vládami i spotřebiteli tak, aby usnadnila tvorbu britských, evropských i mezinárodních norem. Součást organizace BSI Group, společnost BSI British Standards, úzce spolupracuje s vládou Spojeného královtsví, zejména skrze Oddělení pro inovace, univerzity a dovednosti (DIUS).
Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for switching applications.
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1982
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: switching transistors.
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1982
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.7.1978
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.7.1978
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.7.1978
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.7.1978
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.1.1979
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.1.1979
Vybrané provedení:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
NEPLATNÁ vydána dne 15.1.1979
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: transistors (general).
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1982
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 07.11.2024 (Počet položek: 2 209 910)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.