BS - Britské národní normy - strana 8330

Normy BS - Britské národní normy - strana 8330

BSi - Společnost BSI British Standards je národním standardizačním úřadem Spojeného království (NSB) a jako taková byla i první na světě. Zastupuje ekonomické a společenské zájmy Spojeného království ve všech evropských a mezinárodních standardizačních organizacích i v rámci vývoje řešení podnikových informací pro britské organizace všech velikostí a oborů. Společnost BSI British Standards spolupracuje s výrobním průmyslem a průmyslem služeb, s podniky, s vládami i spotřebiteli tak, aby usnadnila tvorbu britských, evropských i mezinárodních norem. Součást organizace BSI Group, společnost BSI British Standards, úzce spolupracuje s vládou Spojeného královtsví, zejména skrze Oddělení pro inovace, univerzity a dovednosti (DIUS).

Zobrazení ceny: bez DPH
Zobrazovaná měna:
Řadit dle:

Upřesnit výběr pro "Normy BS - strana 8330" dle:    


BS ISO/IEC 7501-3:1997 NEPLATNÁ

Identification cards. Machine readable travel documents. Machine readable official travel documents.
(Identifikační karty - Strojově čitelné cestovní doklady - Část 3: Strojově čitelné služební cestovní doklady (Text normy není součástí výtisku).)

NEPLATNÁ vydána dne 15.8.1997

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
3 711.80


SKLADEM
BS 7501:1989 NEPLATNÁ

General criteria for the operation of testing laboratories.

NEPLATNÁ vydána dne 31.10.1989

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
3 711.80


SKLADEM
BS QC 750102:1990 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification.

NEPLATNÁ vydána dne 15.2.1990

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750103:1990 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification.

NEPLATNÁ vydána dne 15.2.1990

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750104:1991 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bipolar transistors for switching applications.

NEPLATNÁ vydána dne 15.11.1991

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750107:1991 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Case-rated bipolar transistors for high-frequency amplifications.

NEPLATNÁ vydána dne 15.11.1991

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750108:1990 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A.

NEPLATNÁ vydána dne 15.2.1990

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
3 711.80


SKLADEM
BS QC 750110:1990 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A.

NEPLATNÁ vydána dne 15.2.1990

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750111:1991 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A.

NEPLATNÁ vydána dne 31.1.1992

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM
BS QC 750112:1988 NEPLATNÁ

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz.

NEPLATNÁ vydána dne 15.12.1988

Vybrané provedení:

Zobrazit všechny technické informace
4 377.00


SKLADEM

Zobrazen záznam od 83290 až 83300 z celkem 87434 záznamů.


Potřebujete pomoci?


Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.