BS - Národní - Všechny - strana 8987

BS 9300C328:1971 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon n-p-n high frequency transistor.

NEPLATNÁ vydána dne 15.2.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

BS 9300C329-331:1973 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon stud mounted, reverse blocking triode thyristors.

NEPLATNÁ vydána dne 24.10.1973

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

BS 9300C367-368:1971 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon fast switching, double ended diodes.

NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

BS 9300C377-378:1971 NEPLATNÁ

Detail specifications for silicon coaxial mixer diodes.

NEPLATNÁ vydána dne 15.4.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Elektronické PDF (3895.80 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

3 895.80 Kč

SKLADEM

BS 9300C379-388:1971 NEPLATNÁ

Detail specifications for silicon stud mounted, power rectifier diodes.

NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Elektronické PDF (4555.00 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

4 555.00 Kč

SKLADEM

BS 9300C397-403:1971 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon variable capacitance diodes.

NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

BS 9300C405-429:1971 NEPLATNÁ

Detail specifications for silicon voltage-regulator diodes.

NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Elektronické PDF (3895.80 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

3 895.80 Kč

SKLADEM

BS 9300C451-454:1971 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon n-p-n medium power transistors.

NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

BS 9300C476:1973 NEPLATNÁ

Detail specification for silicon avalanche rectifier diode.

NEPLATNÁ vydána dne 15.10.1973

Vybrané provedení:

Anglicky -

PDF - okamžité stažení (3895.80 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

3 895.80 Kč

SKLADEM

BS 9300C479:1971 NEPLATNÁ

Detail specification for six terminal device, containing two isolated high gain n-p-n silicon planar transistors.

NEPLATNÁ vydána dne 15.1.1971

Vybrané provedení:

Anglicky -

Tištěné (6365.70 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

6 365.70 Kč

SKLADEM

Zobrazen záznam od 89860 až 89870 z celkem 90718 záznamů.