Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Detail specifications for reverse blocking triode thyristors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon n-p-n high frequency planar transistor.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon microwave switching diode, rod mounted.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon n-p-n planar epitaxial transistors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon stud mounted, reverse blocking triode thyristors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon avalanche rectifier diodes.
NEPLATNÁ vydána dne 15.8.1971
Vybrané provedení:Detail specification for silicon voltage regulator diodes.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for mixer diodes for use at X-band frequencies.
NEPLATNÁ vydána dne 15.3.1971
Vybrané provedení:Detail specification for coaxial mixer diodes.
NEPLATNÁ vydána dne 15.4.1971
Vybrané provedení:Detail specification for germanium coaxial mixer diodes.
NEPLATNÁ vydána dne 15.4.1971
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 11.01.2026 (Počet položek: 2 254 176)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.