Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: microwave semiconductor switches (without integrated driver circuits).
NEPLATNÁ vydána dne 31.5.1990
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: field effect transistors for microwave applications.
NEPLATNÁ vydána dne 15.7.1980
Vybrané provedení:Oil circuit-breakers for alternating-current circuits up to and including 660 volts.
NEPLATNÁ vydána dne 18.7.1955
Vybrané provedení:
Chemicals used for treatment of water intended for human consumption. Carbon dioxide.
(Chemické výrobky používané pro úpravu vody určené k lidské spotřebě - Oxid uhličitý.)
NEPLATNÁ vydána dne 15.4.1998
Vybrané provedení:
Chemicals used for treatment of water intended for human consumption. Carbon dioxide.
(Chemické výrobky používané pro úpravu vody určené k lidské spotřebě - Oxid uhličitý.)
NEPLATNÁ vydána dne 30.9.2008
Vybrané provedení:
Anaesthetic and respiratory equipment. Heat and moisture exchangers (HMEs) for humidifying respired gases in humans. HMEs for use with minimum tidal volumes of 250 ml.
(Anestetická a respirační zařízení - Výměníky tepla a vlhkosti pro zvlhčování vdechovaných plynů u lidí - Část 1: Výměníky tepla a vlhkosti pro použití s minimálními dechovými objemy od 250 ml.)
NEPLATNÁ vydána dne 15.6.2000
Vybrané provedení:
Anaesthetic and respiratory equipment. Heat and moisture exchangers (HMEs) for humidifying respired gases in humans. HMEs for use with tracheostomized patients having minimum tidal volumes of 250 ml.
(Anestetická a respirační zařízení - Výměníky tepla a vlhkosti pro zvlhčování vdechovaných plynů u lidí - Část 2: Výměníky tepla a vlhkosti pro použití u pacientů při tracheostomii s minimálními dechovými objemy od 250 ml.)
NEPLATNÁ vydána dne 22.11.2002
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: low frequency, low power transistors.
NEPLATNÁ vydána dne 1.1.1982
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high frequency, low power transistors.
NEPLATNÁ vydána dne 15.1.1971
Vybrané provedení:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for linear applications.
NEPLATNÁ vydána dne 1.5.1976
Vybrané provedení:Poslední aktualizace: 25.07.2025 (Počet položek: 2 209 786)
© Copyright 2025 NORMSERVIS s.r.o.