Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC/TS 62876-3-4-ed.1.0
Nanomanufacturing - Reliability assessment - Part 3-4: Linearity of output characteristics for metal contacted 2D semiconductor devices
Přeložit název
NORMA vydána dne 16.12.2025
Informace o normě:
Označení normy: IEC/TS 62876-3-4-ed.1.0
Datum vydání normy: 16.12.2025
Kód zboží: NS-1253471
Počet stran: 24
Přibližná hmotnost: 72 g (0.16 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC/TS 62876-3-4-ed.1.0 :
IEC TS 62876-3-4:2025, which is a Technical Specification, establishes a standardized guideline to assess • reliability of metallic interfaces of Ohmic-contacted field-effect transistors (FETs) using 2D nano-materials by quantifying • linearity of current-voltage (I-V) output curves for devices with various materials combinations of van der Waals (vdW) interfaces. For metallic interfaces with 2D materials (eg. graphene, MoS2, MoTe2, WS2, WSe2, etc) and metals (eg. Ti, Cr, Au, Pd, In, Sb, etc), the reliability of Ohmic contact is quantified. For FETs consisting of 2D materials-based channels (eg. MoS2, MoTe2, WS2, WSe2, etc), the reliability of Ohmic contact when varying contacting metal, channel length, channel thickness, applied voltage, and surface treatment condition is quantified. The reliability of the metallic contacts is quantified from the linearity of I-V characteristics measured over extended time periods.
Doporučujeme:
