Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63505-ed.1.0
Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
Přeložit název
NORMA vydána dne 8.4.2025
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63505-ed.1.0
Datum vydání normy: 8.4.2025
Kód zboží: NS-1218052
Počet stran: 12
Přibližná hmotnost: 36 g (0.08 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63505-ed.1.0 :
IEC 63505:2025 gives guidance on VT measurement methods and conditioning prior to VT testing in SiC power MOSFETs to reduce or eliminate the effect of the aforementioned hysteresis. The method is applicable for PBTI testing, NBTI and threshold voltage changes caused by switching events are excluded from the scope. SiC MOSFETs have threshold voltage hysteresis caused by transient trap effects, which impacts the evaluation of the actual the VT shift caused by stress tests such as bias temperature instabilities (BTI).
Doporučujeme:
