Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63275-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
Přeložit název
NORMA vydána dne 21.4.2022
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63275-1-ed.1.0
Datum vydání normy: 21.4.2022
Kód zboží: NS-1055629
Počet stran: 25
Přibližná hmotnost: 75 g (0.17 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63275-1-ed.1.0 :
IEC 63275-1:2022 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10 h). L’IEC 63275-1:2022 donne une methode d’essai pour evaluer le decalage de la tension de seuil de grille des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un releve a temperature ambiante apres avoir applique une contrainte de tension grille-source positive continue a temperature elevee. La methode proposee accepte une certaine quantite de recouvrement en autorisant des decalages importants entre la contrainte et la mesure (jusqu’a 10 h).
Doporučujeme:
