Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63229-ed.1.0
Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate
Přeložit název
NORMA vydána dne 7.4.2021
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63229-ed.1.0
Datum vydání normy: 7.4.2021
Kód zboží: NS-1022112
Počet stran: 21
Přibližná hmotnost: 63 g (0.14 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63229-ed.1.0 :
IEC 63229:2021(E) gives guidelines for the definition and classification of defects in GaN epitaxial film grown on SiC substrate. They are identified and described on the basis of examples, mainly by schematic illustrations, optical microscope images, and transmission electron microscope images for these defects. This document covers only defects in as-grown GaN epitaxial film on SiC substrate and does not include defects caused by subsequent processes.
Doporučujeme:
Aktualizace zákonů
Chcete mít jistotu o platnosti užívaných předpisů?
Nabízíme Vám řešení, abyste mohli používat stále platné (aktuální) legislativní předpisy.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
