Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63068-5-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography
Přeložit název
NORMA vydána dne 6.10.2026
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63068-5-ed.1.0
Datum vydání normy: 6.10.2026
Kód zboží: NS-1287031
Počet stran: 31
Přibližná hmotnost: 93 g (0.21 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63068-5-ed.1.0 :
IEC 63068-5:2026 provides definitions and guidance in use of X-ray topography inspection system for detecting defects in silicon carbide (SiC) homoepitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies X-ray topographic images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.
Doporučujeme:
Aktualizace technických norem
Chcete mít jistotu, že používáte pouze platné technické normy?
Nabízíme Vám řešení, které Vám zajistí měsíční přehled o aktuálnosti norem, které používáte.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
