Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63068-4-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence
Přeložit název
NORMA vydána dne 27.7.2022
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63068-4-ed.1.0
Datum vydání normy: 27.7.2022
Kód zboží: NS-1069241
Přibližná hmotnost: 300 g (0.66 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63068-4-ed.1.0 :
IEC 63068-4:2022(E) provides a procedure for identifying and evaluating defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) homoepitaxial wafer by systematically combining two test methods of optical inspection and photoluminescence (PL). Additionally, this document exemplifies optical inspection and PL images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.
Doporučujeme:
