Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63068-3-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
Přeložit název
NORMA vydána dne 13.7.2020
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63068-3-ed.1.0
Datum vydání normy: 13.7.2020
Kód zboží: NS-998077
Počet stran: 51
Přibližná hmotnost: 153 g (0.34 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63068-3-ed.1.0 :
IEC 63068-3:2020 provides definitions and guidance in use of photoluminescence for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies photoluminescence images and emission spectra to enable the detection and categorization of the defects in SiC homoepitaxial wafers. L’IEC 63068-3:2020 decrit les definitions et les recommandations relatives a l’utilisation de la photoluminescence pour la detection de defauts bruts au sein de plaquettes homoepitaxiales en carbure de silicium (4H-SiC) disponibles dans le commerce. De plus, le present document donne des exemples d’images de photoluminescence et de spectres d’emission, permettant la detection et la categorisation des defauts au sein de plaquettes homoepitaxiales en SiC.
Doporučujeme:
