Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 63068-2-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
Přeložit název
NORMA vydána dne 30.1.2019
Informace o normě:
Označení normy: IEC 63068-2-ed.1.0
Datum vydání normy: 30.1.2019
Kód zboží: NS-935987
Počet stran: 25
Přibližná hmotnost: 75 g (0.17 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 63068-2-ed.1.0 :
IEC 63068-2:2019(E) provides definitions and guidance in use of optical inspection for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies optical images to enable the detection and categorization of the defects for SiC homoepitaxial wafers. This document deals with a non-destructive test method for the defects so that destructive methods such as preferential etching are out of scope in this document.
Doporučujeme:
