Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
IEC 62417-ed.1.0
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
Automaticky přeložený název:
Polovodičové zařízení - mobilní iontové zkoušky pro metal-MOS tranzistorů řízených polem (MOSFETs)
NORMA vydána dne 22.4.2010
Informace o normě:
Označení normy: IEC 62417-ed.1.0
Datum vydání normy: 22.4.2010
Kód zboží: NS-414600
Počet stran: 16
Přibližná hmotnost: 48 g (0.11 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
Kategorie - podobné normy:
Anotace textu normy IEC 62417-ed.1.0 :
IEC 62417:2010 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors. La CEI 62417:2010 fournit une procedure dessai au niveau de la plaquette pour determiner la quantite de charge positive mobile a linterieur des couches doxyde dans les transistors a semiconducteur a oxyde metallique a effet de champ. Elle sapplique aux deux transistors a effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des degradations des dispositifs microelectroniques, par exemple en decalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
Doporučujeme:
Aktualizace zákonů
Chcete mít jistotu o platnosti užívaných předpisů?
Nabízíme Vám řešení, abyste mohli používat stále platné (aktuální) legislativní předpisy.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
