Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
Přeložit název
NORMA vydána dne 15.7.2020
Označení normy: IEC 62373-1-ed.1.0
Datum vydání normy: 15.7.2020
Kód zboží: NS-1000980
Počet stran: 44
Přibližná hmotnost: 132 g (0.29 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method. L’IEC 62373-1:2020 fournit la methode de mesure pour un essai rapide de BTI (instabilite en temperature sous polarisation) des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) a base de silicium. Le present document definit egalement les termes relatifs a la methode d’essai de BTI conventionnelle.
Poslední aktualizace: 25.09.2024 (Počet položek: 2 350 354)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.