Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
Automaticky přeložený název:
Polovodičové zařízení - diskrétní zařízení - Část 8: tranzistory řízené polem
NORMA vydána dne 15.12.2010
Označení normy: IEC 60747-8-ed.3.0
Datum vydání normy: 15.12.2010
Kód zboží: NS-411316
Počet stran: 155
Přibližná hmotnost: 496 g (1.09 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC
IEC 60747-8:2010 gives standards for the following categories of field-effect transistors: - type A: junction-gate type; - type B: insulated-gate depletion (normally on) type; - type C: insulated-gate enhancement (normally off) type. The main changes with respect to the previous edition are listed below. a) "Clause 3 Classification" was moved and added to Clause 1. b) "Clause 4 Terminology and letter symbols" was divided into "Clause 3 Terms and definitions" and "Clause 4 Letter symbols" was amended with additions and deletions. c) Clause 5, 6 and 7 were amended with necessary additions and deletions. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les categories suivantes de transistors a effets de champ: - type A: type a jonction de grille; - type B: type a grille isolee a depletion (appauvrissement) (normalement a letat passant); - type C: type a grille isolee a enrichissement (normalement a letat bloque). Les principaux changements par rapport a ledition precedente sont enumeres ci-dessous. a) LArticle 3 "Classification" a ete deplace et ajoute a lArticle 1. b) LArticle 4 "Terminologie et symboles litteraux" a ete divise en Article 3 "Termes et definitions" et Article 4 "Symboles litteraux", ce dernier a ete amende avec des additions et des suppressions. c) Les Articles 5, 6 et 7 ont ete amendes avec les necessaires additions et suppressions. Cette publication doit etre lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
Změna vydána dne 25.6.2021
Vybrané provedení:1.1.1976
1.1.1976
1.1.1984
1.1.1975
1.7.1975
1.7.1984
Poslední aktualizace: 26.01.2026 (Počet položek: 2 257 479)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.