Pozor!

Ve Vašem prohlížeči není aktuálně povoleno spouštění Javascriptu. Je možné, že některé funkce nebudou fungovat správně. Pro plnou funkčnost internetového obchodu doporučujeme povolit Javascript. Zde jsou instrukce jak povolit JavaScript ve Vašem webovém prohlížeči.

Zobrazovaná měna: Kč

Zobrazení ceny: bez DPH

IEC 60747-7-ed.3.0

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors

Automaticky přeložený název:

Polovodičové zařízení - diskrétní zařízení - Část 7: Bipolární tranzistory

NORMA vydána dne 16.12.2010

Jazyk
Provedení	Elektronické PDF - 12 830.40 Kč Tištěné - 12 830.40 Kč CD-ROM - 12 870.00 Kč
Dostupnost	SKLADEM
Cena	12830.40 Kč bez DPH
12 830.40 Kč
	Objednat včetně změn

Informace o normě:

Označení normy: IEC 60747-7-ed.3.0
Datum vydání normy: 16.12.2010
Kód zboží: NS-411315
Počet stran: 209
Přibližná hmotnost: 658 g (1.45 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC

Tisk

Odeslat známému

Dotaz

Kategorie - podobné normy:

Tranzistory

Anotace textu normy IEC 60747-7-ed.3.0 :

IEC 60747-7:2010 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors. - Small signal transistors (excluding switching and microwave applications); - Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications); - High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications; - Switching transistors for high speed switching and power switching applications; - Resistor biased transistors. The main changes with respect to previous edition are listed below. a) Clause 1 was amended by adding an item that should be included. b) Clauses 3, 4, 5, 6 and 7 were amended by adding terms, definitions, suitable additions and deletions those should be included. c) The text of the second edition was combined with that of IEC 60747-7-5. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. La CEI 60747-7:2010 donne les exigences applicables aux sous-categories suivantes de transistors bipolaires, a lexclusion des transistors micro-ondes. - Transistors petits signaux (a lexclusion des applications en commutation et en micro-ondes); - Transistors de puissance lineaire (a lexclusion des applications en commutation, a haute frequence et en micro-ondes); - Transistors de puissance haute frequence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs; - Transistors de commutation pour applications en commutation a grande vitesse et en commutation de puissance; - Transistors a resistances de polarisation. Les principaux changements par rapport a ledition precedente sont enumeres ci-dessous. a) Larticle 1 a ete amende par lajout dun element quil convient dinclure. b) Les articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont ete amendes en ajoutant des termes et des definitions, ainsi que des ajouts et suppressions adaptes quil convient dinclure. c) Le texte de la deuxieme edition a ete combine a la CEI 60747-7-5. Cette publication doit etre lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.

K této normě náleží tyto změny:

Náhled IEC 60747-7-ed.3.0/Amd.1 23.9.2019

IEC 60747-7-ed.3.0/Amd.1 Změna

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)

Změna vydána dne 23.9.2019

Vybrané provedení:

Anglicky a francouzsky -

Elektronické PDF (316.80 CZK)

Zobrazit všechny technické informace

316.80 Kč

SKLADEM