Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
Přeložit název
NORMA vydána dne 28.12.2023
Označení normy: GB/T 43493.2-2023
Datum vydání normy: 28.12.2023
Kód zboží: NS-1164462
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB
Poskytování aktuálních informací o legislativních předpisech vyhlášených ve Sbírce zákonů od roku 1945.
Aktualizace 2x v měsíci !
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
Poslední aktualizace: 19.08.2026 (Počet položek: 2 298 207)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.