Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
Automaticky přeložený název:
Polovodičové zařízení - diskrétní zařízení - Část 9: Izolované-gate bipolární tranzistory (IGBT)
NORMA vydána dne 31.12.2012
Označení normy: GB/T 29332-2012
Datum vydání normy: 31.12.2012
Kód zboží: NS-365127
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB
Poslední aktualizace: 13.07.2026 (Počet položek: 2 286 490)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.