Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
GB/T 14863-2013
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
Automaticky přeložený název:
Způsob čisté hustotu dopravce v křemíku epitaxních vrstev napětí-kapacitní bránou a ungated diodami
NORMA vydána dne 31.12.2013
Informace o normě:
Označení normy: GB/T 14863-2013
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 31.12.2013
Kód zboží: NS-349395
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB
Doporučujeme:
