Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
Přeložit název
NORMA vydána dne 10.1.2011
Označení normy: GB/T 14847-2010
Datum vydání normy: 10.1.2011
Kód zboží: NS-865732
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB
Poslední aktualizace: 19.04.2026 (Počet položek: 2 274 482)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.