Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated gate bipolar transistors (IGBTs).
Automaticky přeložený název:
Polovodičové zařízení - Diskrétní zařízení - Část 9 : izolovaným hradlem bipolární tranzistory ( IGBT ).
NORMA vydána dne 1.9.2004
Označení normy: E DIN IEC 60747-9:2004-09
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.9.2004
Kód zboží: NS-303076
Počet stran: 129
Přibližná hmotnost: 418 g (0.92 liber)
Země: Německá technická norma (Návrh)
Kategorie: Technické normy DIN
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs).
Chcete mít jistotu o platnosti užívaných předpisů?
Nabízíme Vám řešení, abyste mohli používat stále platné (aktuální) legislativní předpisy.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
Poslední aktualizace: 24.04.2026 (Počet položek: 2 274 650)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.