Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated gate bipolar transistors (IGBTs).
Automaticky přeložený název:
Polovodičové zařízení - Diskrétní zařízení - Část 9 : izolovaným hradlem bipolární tranzistory ( IGBT ).
NORMA vydána dne 1.9.2004
Označení normy: E DIN IEC 60747-9:2004-09
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.9.2004
Kód zboží: NS-303076
Počet stran: 129
Přibližná hmotnost: 418 g (0.92 liber)
Země: Německá technická norma (Návrh)
Kategorie: Technické normy DIN
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs).
Chcete pravidelně odebírat informace o nově vycházejících normách z celého světa a to zcela zdarma?
Přihlašte se k odběru. Vše je velice jednoduché a absolutně ZDARMA.
Na výběr máte vydavatele z celého světa.
Poslední aktualizace: 10.06.2026 (Počet položek: 2 281 585)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.