Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou. (Norma přebírající anglický originál, vlastní text je součástí výtisku).
NORMA vydána dne 1.3.2007
Označení normy: ČSN EN 62373
Třídící znak: 358767
Katalogové číslo: 78056
Datum vydání normy: 1.3.2007
Kód zboží: NS-162085
Počet stran: 32
Přibližná hmotnost: 96 g (0.21 liber)
Země: Česká technická norma
Kategorie: Technické normy ČSN
Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
NEPLATNÁ
1.7.1998
NEPLATNÁ
1.12.1997
1.12.2010
1.12.2010
Poslední aktualizace: 21.12.2024 (Počet položek: 2 216 840)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.