Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
Automaticky přeložený název:
Standardní zkušební metoda pro separaci s ionizujícího záření vyvolané MOSFET Threshold Voltage Shift na složky kvůli oxidu Trapped otvory a rozhraní státy pomocí subthreshold proud - napětí Charakteristika
NORMA vydána dne 10.5.1998
Označení normy: ASTM F996-98(2003)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.5.1998
Kód zboží: NS-57211
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM
Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes
1. Scope | ||||||||
1.1 This test method covers the use of the subthreshold charge separation technique for analysis of ionizing radiation degradation of a gate dielectric in a metal-oxide-semiconducter-field-effect transistor (MOSFET) and an isolation dielectic in a parasitic MOSFET. The subthreshold technique is used to separate the ionizing radiation-induced inversion voltage shift, [delta]VINV into voltage shifts due to oxide trapped charge, [delta]Vot and interface traps, [delta]Vit. This technique uses the pre- and post-irradiation drain to source current versus gate voltage characteristics in the MOSFET subthreshold region. 1.2 Procedures are given for measuring the MOSFET subthreshold current-voltage characteristics and for the calculation of results. 1.3 The application of this test method requires the MOSFET to have a substrate (body) contact. MOSFETs on silicon-on-insulator (SOI) technology must have body ties. 1.4 Both pre- and post-irradiation MOSFET subthreshold source or drain curves must follow an exponential dependence on gate voltage for a minimum of two decades of current. 1.5 This standard does not purport to address all of the safety problems, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. |
||||||||
2. Referenced Documents | ||||||||
|
Chcete pravidelně odebírat informace o nově vycházejících normách z celého světa a to zcela zdarma?
Přihlašte se k odběru. Vše je velice jednoduché a absolutně ZDARMA.
Na výběr máte vydavatele z celého světa.
Poslední aktualizace: 06.09.2024 (Počet položek: 2 346 102)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.