ASTM F996-10

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automaticky přeložený název:

Standardní zkušební metoda pro separaci s ionizujícího záření vyvolané MOSFET Threshold Voltage Shift na složky kvůli oxidu Trapped otvory a rozhraní státy pomocí subthreshold proud - napětí Charakteristika



NORMA vydána dne 1.5.2010


Jazyk
Provedení
DostupnostSKLADEM
Cena2010.10 bez DPH
2 010.10

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F996-10
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.5.2010
Kód zboží: NS-57209
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F996-10 :

Keywords:

c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes, Current measurement--semiconductors, Electrical conductors (semiconductors), Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure--electronic components/devices, Silicon semiconductors, Threshold voltage

Doporučujeme:

Aktualizace technických norem

Chcete mít jistotu, že používáte pouze platné technické normy?
Nabízíme Vám řešení, které Vám zajistí měsíční přehled o aktuálnosti norem, které používáte.

Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.




Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.