ASTM F95-89(2000)

Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer (Withdrawn 2003)

Automaticky přeložený název:

Standardní zkušební metoda pro Tloušťka lehce dopovaný Silicon epitaxních vrstev na Silně dotovaný křemíkových podložkách pomocí infračerveného disperzní spektrofotometru (Withdrawn 2003 )



NORMA vydána dne 1.1.2000


Jazyk
Provedení
DostupnostSKLADEM
Cena2010.10 bez DPH
2 010.10

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F95-89(2000)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.2000
Kód zboží: NS-57039
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F95-89(2000) :

Keywords:

epi, epi thickness, epitaxial layer, FTIR, index of refraction, IR, layer thickness, spectrophotometer, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)

Doporučujeme:

Aktualizace zákonů

Chcete mít jistotu o platnosti užívaných předpisů?
Nabízíme Vám řešení, abyste mohli používat stále platné (aktuální) legislativní předpisy.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.




Cookies Cookies

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů.