Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
ASTM F616M-96(2003)
Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric) (Withdrawn 2009)
Automaticky přeložený název:
Standardní zkušební metoda pro měření MOSFET vypouštění Únikový proud ( metrické) (Withdrawn 2009 )
NORMA vydána dne 10.6.1996
Informace o normě:
Označení normy: ASTM F616M-96(2003)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.6.1996
Kód zboží: NS-55913
Počet stran: 3
Přibližná hmotnost: 9 g (0.02 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM
Anotace textu normy ASTM F616M-96(2003) :
Keywords:
drain leakage current, leakage current, MOSFET
Doplňující informace
| 1. Scope | ||
|
1.1 This test method covers the measurement of MOSFET (Note 1) drain leakage current. Note 1-MOS is an acronym for metal-oxide semiconductor; FET is an acronym for field-effect transistor. 1.2 This test method is applicable to all enhancement-mode and depletion-mode MOSFETs. This test method specifies positive voltage and current, conventions specifically applicable to n-channel MOSFETs. The substitution of negative voltage and negative current makes the method directly applicable to p-channel MOSFETs. 1.3 The d-c test method is applicable for the range of drain voltages greater than 0 V but less than the drain breakdown voltage. 1.4 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. |
||
| 2. Referenced Documents | ||
|
Doporučujeme:
Aktualizace technických norem
Chcete mít jistotu, že používáte pouze platné technické normy?
Nabízíme Vám řešení, které Vám zajistí měsíční přehled o aktuálnosti norem, které používáte.
Chcete vědět více informací? Podívejte se na tuto stránku.
