Cookies
Potřebujeme váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se vám mimo jiné mohly ukazovat informace týkající se vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
ASTM F1725-02
Standard Guide for Analysis of Crystallographic Perfection of Silicon Ingots (Withdrawn 2003)
Automaticky přeložený název:
Standardní Příručka pro analýzu krystalografických dokonalosti Silicon pruty (Withdrawn 2003 )
NORMA vydána dne 10.12.2002
Informace o normě:
Označení normy: ASTM F1725-02
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.12.2002
Kód zboží: NS-51313
Počet stran: 3
Přibližná hmotnost: 9 g (0.02 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM
Anotace textu normy ASTM F1725-02 :
Keywords:
dislocation, grain boundaries, ingot, polycrystaline imperfections, preferential etch, silicon, slip, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)
Doplňující informace
| 1. Scope |
|
This standard was transferred to SEMI (www.semi.org) May 2003 1.1 This practice covers the analysis of the crystallographic perfection in silicon ingots. The steps described are sample preparation, etching solution selection and use, defect identification, and defect counting. 1.2 This practice is suitable for use if evaluating silicon grown in either [111] or [100] direction and doped either p or n type with resistivity greater than 0.005 Ωcm. 1.3 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety and health practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. |
Doporučujeme:
