IEC 63068-5-ed.1.0

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography

NORMA vydána dne 6.10.2026

Anglicky -
Elektronické PDF (8166.30 CZK)

Anglicky -

Tištěné (8166.30 CZK)

Anglicky -

CD-ROM (8205.50 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: IEC 63068-5-ed.1.0
Datum vydání normy: 6.10.2026
Počet stran: 31
Přibližná hmotnost: 93 g (0.21 liber)
Země: Mezinárodní technická norma
Kategorie: Technické normy IEC

Anotace textu normy IEC 63068-5-ed.1.0 :

IEC 63068-5:2026 provides definitions and guidance in use of X-ray topography inspection system for detecting defects in silicon carbide (SiC) homoepitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies X-ray topographic images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.