GB/T 48170-2026

Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices

NORMA vydána dne 28.8.2026

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (NA DOTAZ)

Anglicky a čínsky -

Tištěné (NA DOTAZ)

The information about the standard:

Designation standards: GB/T 48170-2026
Note: K dispozici od: březen 2027
Publication date standards: 28.8.2026
Country: Chinese technical standard
Kategorie: Technické normy GB