GB/T 48164.2-2026

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

NORMA vydána dne 28.8.2026

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (NA DOTAZ)

Anglicky a čínsky -

Tištěné (NA DOTAZ)

The information about the standard:

Designation standards: GB/T 48164.2-2026
Note: K dispozici od: březen 2027
Publication date standards: 28.8.2026
Country: Chinese technical standard
Kategorie: Technické normy GB